Amžiuje, kuriame yra tiek daug skaitmeninių prietaisų, profesionalai, kurie gali juos tinkamai ir greitai ištaisyti, yra aukso vertės. Bet sugedusio elemento pašalinimas ir naujo litavimas yra tik pusė darbo, svarbiausias procesas yra trikčių šalinimas. Ir norint suprasti schemą, turite žinoti kiekvieno jos elemento veikimo principą.
Kas yra Darlingtono tranzistorius
Darlingtono tranzistorius neegzistuoja kaip atskiras elementas. Šis vardas buvo suteiktas agregatui tam tikroje dviejų tranzistorių sekoje, siekiant padidinti srovės stiprinimą. Pirmasis tranzistorius atlieka srovės perdavimo funkciją, o antrasis tiesiog valdo pirmąjį. Panašiai maža relė gali atlaikyti dideles apkrovas. Ši elektroninė grandinė dar vadinama „Darlingtono garais“ ir yra plačiai naudojama šiuolaikiniuose elektroniniuose prietaisuose.
Veikimo principas
Stiprinimas nėra vienintelė Darlingtono tranzistoriaus charakteristika, ji taip pat naudojama grandinėse kaip jungiklis.
Transistoriaus procesų seka perjungimo režimu (pavyzdžiui, naudojamas NPN elementas):
- Būklė: įžeminta tranzistoriaus bazė ir nėra srovės nuo emiterio iki kolektoriaus.
- Elementas perjungiamas į „Off“ režimą.
- Esant didesnei nei 0,7 V pagrindo įstrižai, atsiranda srovė, tekanti per emiterį į kolektorių.
- Transistorius pereina į režimą „Įjungti“.
„Darlington“ tranzistorius yra tiek NPN, tiek PNP versijose. Be to, elementas gaminamas su skirtingomis įtampos vertėmis.
Kur naudojami Darlingtono tranzistoriai
Darlingtono tranzistoriai yra plačiai naudojami nuolatinės srovės variklių valdymo grandinėse ir relėse. Jie taip pat naudojami atskiriems grandinės elementams, tokiems kaip lempos, išjungti ir įjungti. Šie elektroniniai elementai yra populiarūs dėl jų jautrumo net mažai įėjimo srovei, kuri leidžia jums sukurti tikslius ir kokybiškus kontūrus.
Darlingtono matricos naudojamos valdyti didelės galios variklius, lempas ar elektromagnetus, kurie ne tik saugiai dirba su indukcinėmis apkrovomis, bet ir sunaudoja nedidelį kiekį energijos. Bet tokio valdymo negali užtikrinti tik masyvas - grandinė taip pat naudoja elementus ant mikroprocesoriaus pagrindo.
Pagrindinis Darlingtono tranzistoriaus trūkumas
Pagrindinis elemento trūkumas yra jo per didelis šildymas. Temperatūros padidėjimas atsiranda dėl dviejų tranzistorių ryšulio, atitinkamai, baziniame spinduolyje yra dvigubas įtampos kritimas - 1,2 V, o ne 0,6 V, dėl kurio padidėja srovė. Didesnė srovė elemente reiškia daugiau šildymo.
Tačiau per didelio šildymo problema gali būti išspręsta: norint išvengti staigaus temperatūros padidėjimo, reikia surinkti tranzistorių porą pagal Shiklai schemą. Ši schema apima tiek NPN, tiek PNP sankryžų naudojimą. Pagrindinis tokios grandinės privalumas yra tas, kad jai įjungti pakanka 0,6 V, o ne 1,2 V, kaip Darlingtono tranzistoriuje.